FDMS86150ET100
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FDMS86150ET100 |
---|---|
Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 16A POWER56 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $6.94 |
10+ | $6.267 |
100+ | $5.1889 |
500+ | $4.5184 |
1000+ | $3.9354 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-PQFN (5x6) |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.85mOhm @ 16A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.3W (Ta), 187W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4065 pF @ 50 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 16A (Ta), 128A (Tc) |
Grundproduktnummer | FDMS86150 |
FDMS86150ET100 Einzelheiten PDF [English] | FDMS86150ET100 PDF - EN.pdf |
FET -100V 22.0 MOHM PQFN56
MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
MOSFET N-CH 100V POWER56
MOSFET N-CH 100V 14A/45A POWER56
FET 100V 4.85 MOHM PQFN56
MOSFET N CH 100V 16A POWER56
MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN
MOSFET N-CH 100V 44A POWER56
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
MOSFET N-CH 100V 151A POWER56
MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
FAIRCHILD QFN8
FAIRCHILD DFN-856
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDMS86150ET100onsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|